Новая технология позволяет увеличить максимальное число циклов перезаписи во флэш-памяти с 10 тыс. до 100 млн. О сроках вывода разработки на рынок неизвестно.
Ученые из компании Macronix, расположенной в тайваньском городе Синьчжу, разработали технологию, способную избавить флэш-память от эффекта старения.
Эффект старения является одним из недостатков флэш-памяти, который наряду с другими факторами — прежде всего стоимостью — препятствует ее массовому распространению. Дело в том, что постоянное воздействие на ячейки высокого напряжения изнашивает их, и со временем они утрачивают способность принимать четкое логическое состояние.Современная флэш-память утрачивает способность надежно хранить информацию спустя 10 тыс. циклов перезаписи. В случае с USB-накопителем, который также основан на флэш-памяти, это не имеет значения ввиду, как правило, короткого срока эксплуатации.
Однако для SSD-накопителей, которыми оснащаются ноутбуки, это важно, так как срок эксплуатации компьютера может составлять несколько лет. Еще большее значение этот показатель имеет для корпоративных систем хранения данных, с высокой нагрузкой.
Задавшись целью повысить жизнеспособность флэш-памяти, ученые обратили внимание на тип памяти, основанной на фазовом состоянии вещества. В фазовой памяти ячейка меняет свою проводимость при нагреве. Исследователи обнаружили, что аналогичный нагрев ячейки во флэш-памяти оказывает эффект восстановления.
Вслед за этим открытием ученые модифицировали чип обычной флэш-памяти, добавив в него крошечные нагреватели для групп ячеек. Нагревая ячейки до температуры 800 °C в течение нескольких миллисекунд, они смогли продлевать их жизненный цикл.
По словам представителя Macronix Хан-Тина Люэ (Hang-Ting Lue), в лабораторных условиях они смогли продлить срок службы флэш-памяти до 100 млн циклов перезаписи. Но в компании утверждают, что теоретический предел может достигать 1 млрд циклов. У исследователей пока не было возможности понять этот предел, так как тестирование займет несколько месяцев.
При мысли о регулярном нагреве флэш-памяти возникает вопрос о том, насколько быстро разрядится аккумулятор, если такую память использовать в ноутбуке или другом портативном устройстве. Однако Люэ утверждает, что беспокоиться не о чем, так как нагревать чипы необходимо достаточно редко.
Кроме того, во время экспериментов ученые обнаружили, что воздействие на флэш-память высокой температуры увеличивает скорость стирания данных в ячейках. Инженеры предполагают, что использование некоего постоянного термального режима может повысить производительность накопителей.
Результаты своих экспериментов инженеры тайваньской Macronix планируют представить на конференции IEEE International Electron Devices Meeting 2012, которая пройдет на следующей неделе в Сан-Франциско, США. В компании планируют вывести разработку на рынок, но не сообщают, когда это может быть сделано.